在武漢，BOTH助力大規(guī)模碳化硅半導體生產基地通線投產

5月28日，全球碳化硅半導體產業(yè)迎來了又一重大里程碑。長飛先進武漢碳化硅生產基地一期項目正式實現(xiàn)通線投產，首片6英寸碳化硅晶圓成功下線。通線儀式現(xiàn)場嘉賓云集，BOTH核心管理層受邀出席活動，共同見證了這一歷史性的時刻。

長飛先進武漢碳化硅生產基地是國內第三代半導體領域的標桿項目，總投資額超過200億元。項目達產后，預計每年可生產36萬片6英寸碳化硅晶圓，能夠為144萬輛新能源汽車提供核心部件，成為全國最大的碳化硅晶圓生產基地。這一項目的成功投產，有望打破國際壟斷，填補湖北在高端碳化硅器件制造領域的空白，為我國半導體產業(yè)的自主發(fā)展注入強大動力。

（數據來源于客戶官微）

BOTH作為該項目的關鍵參與者，全面承擔了超20,000㎡潔凈室及關鍵系統(tǒng)項目的實施。憑借在高科技產業(yè)受控環(huán)境領域積累的30余年經驗與專業(yè)知識，BOTH精準滿足了客戶對生產環(huán)境的嚴格要求，并與客戶團隊緊密協(xié)作，確保了項目的高效推進和順利交付。從破土動工到實現(xiàn)量產，長飛先進武漢基地僅用時21個月，創(chuàng)造了堪比全球頭部晶圓廠的“光谷速度”。同時，其投產的首款芯片良率高達97%，達到了國際先進水平。

“我們深感自豪能夠按時、按預算地助力客戶實現(xiàn)愿景與目標。該項目的成功投產，再次彰顯了BOTH在復雜及先進半導體項目潔凈室系統(tǒng)服務領域的專業(yè)實力與行業(yè)領導地位?！?/span>

碳化硅作為第三代半導體材料的杰出代表，憑借其在禁帶寬度、擊穿電場、熱導率、電子飽和速率等關鍵指標上的顯著優(yōu)勢，能夠滿足高功率、高電壓、高頻率的應用需求，因而在新能源汽車、5G基站、光伏儲能等前沿領域的需求呈現(xiàn)出快速增長的態(tài)勢。近年來，BOTH已為多個碳化硅半導體重大項目提供了高等級潔凈室及關鍵工藝系統(tǒng)技術服務，積累了豐富的實踐經驗及業(yè)績紀錄。
展望未來，BOTH將繼續(xù)緊跟客戶需求，不斷創(chuàng)新解決方案，提供從設計、項目實施到整體交付的全生命周期服務，助力客戶取得成功，推動碳化硅半導體產業(yè)持續(xù)向高質量方向發(fā)展。